碳化硅（SiC）属于第三代半导体，派恩杰独有的SiC 肖特基二极管结构相比于传统Si 肖特基二极管具有更高的耐压等级和更低的漏电流，大大提升了系统效率，特别适合在高压高频条件下工作。同时解决了Si二极管的耐压极限问题和反向恢复损耗较大的问题，碳化硅二极管成本相对较低，已经广泛使用。派恩杰提供多种多样封装形式去适应不同应用场景。